商务部关于对原产于欧盟的进口多晶硅反补贴调查初步裁定公告
【发布单位】中华人民共和国商务部
【发布文号】公告2014年第6号
【发布日期】2014-01-24
根据《中华人民共和国反补贴条例》(以下简称《反补贴条例》)的规定, 2012年11月1日,商务部发布年度第70号公告,决定对原产于欧盟的进口太阳能级多晶硅反补贴立案调查。该产品归在《中华人民共和国进出口税则》:28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。
商务部(以下称调查机关)对原产于欧盟的进口太阳能级多晶硅(以下称被调查产品)是否存在补贴及补贴金额、被调查产品是否对国内太阳能级多晶硅产业造成损害和损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行了调查。根据调查结果和《反补贴条例》第二十五条的规定,调查机关作出初步裁定(见附件),并就有关事项公告如下:
一、初步裁定
调查机关初步裁定,在本案调查期内,被调查产品存在补贴,中国太阳能级多晶硅产业受到实质损害,而且补贴与损害之间存在因果关系。
二、被调查产品范围及措施范围
本案被调查产品及实施措施产品的具体描述如下:
调查和措施范围:原产于欧盟的进口太阳能级多晶硅。
被调查产品名称:太阳能级多晶硅。英文名称:Solar-Grade Polysilicon。
被调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。
被调查产品电学参数为:基磷电阻率<300欧姆. 厘米(Ω. cm);基硼电阻率<2600欧姆. 厘米(Ω. cm);碳浓度>1.0×1016(at/cm3);n型少数载流子寿命<500μs;施主杂质浓度>0.3×10-9;受主杂质浓度>0.083×10-9。
主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产,是生产晶体硅光伏电池的主要原料。
该产品归在《中华人民共和国进出口税则》:28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。
三、临时反补贴措施
考虑到本案特殊市场情况,调查机关决定在初步裁定后暂不实施临时反补贴措施。
四、评论
各利害关系方在本公告发布之日起10天内,可向调查机关提出书面评论并附相关证据,调查机关将依法予以考虑。
中华人民共和国商务部对原产于欧盟的进口太阳能级多晶硅反补贴调查的初步裁定.doc.doc
【发布文号】公告2014年第6号
【发布日期】2014-01-24
根据《中华人民共和国反补贴条例》(以下简称《反补贴条例》)的规定, 2012年11月1日,商务部发布年度第70号公告,决定对原产于欧盟的进口太阳能级多晶硅反补贴立案调查。该产品归在《中华人民共和国进出口税则》:28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。
商务部(以下称调查机关)对原产于欧盟的进口太阳能级多晶硅(以下称被调查产品)是否存在补贴及补贴金额、被调查产品是否对国内太阳能级多晶硅产业造成损害和损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行了调查。根据调查结果和《反补贴条例》第二十五条的规定,调查机关作出初步裁定(见附件),并就有关事项公告如下:
一、初步裁定
调查机关初步裁定,在本案调查期内,被调查产品存在补贴,中国太阳能级多晶硅产业受到实质损害,而且补贴与损害之间存在因果关系。
二、被调查产品范围及措施范围
本案被调查产品及实施措施产品的具体描述如下:
调查和措施范围:原产于欧盟的进口太阳能级多晶硅。
被调查产品名称:太阳能级多晶硅。英文名称:Solar-Grade Polysilicon。
被调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。
被调查产品电学参数为:基磷电阻率<300欧姆. 厘米(Ω. cm);基硼电阻率<2600欧姆. 厘米(Ω. cm);碳浓度>1.0×1016(at/cm3);n型少数载流子寿命<500μs;施主杂质浓度>0.3×10-9;受主杂质浓度>0.083×10-9。
主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产,是生产晶体硅光伏电池的主要原料。
该产品归在《中华人民共和国进出口税则》:28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。
三、临时反补贴措施
考虑到本案特殊市场情况,调查机关决定在初步裁定后暂不实施临时反补贴措施。
四、评论
各利害关系方在本公告发布之日起10天内,可向调查机关提出书面评论并附相关证据,调查机关将依法予以考虑。
中华人民共和国商务部对原产于欧盟的进口太阳能级多晶硅反补贴调查的初步裁定.doc.doc