当前位置: 首页 » 图书馆 » 技术资料 » 薄膜技术 »

PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究

PDF文档
  • 文件类型:PDF文档
  • 文件大小:150.98K
  • 更新日期:2012-03-05
  • 浏览次数:10131   下载次数:13
进入下载
详细介绍

采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级SiOxNy薄膜界面陷阱特性。证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到界面陷阱密度随雪崩热电子注入剂量增加而增大,禁带上半部增大得较下半部显著。指出了雪崩注入过程中在SiOxNy界面上产生两种性质不同的电子陷阱,并给出它们在禁带中的位置与密度大小关系。揭示出PECVD法形成的SiOxNy纳米膜与快速热氮化制备的这种薄膜中、氮氧含量不同、界面陷阱特性变化关系不一样,并从形成薄膜氮化机制上予以合理的物理解析。给出了PECVD 形成纳米级薄膜的优化工艺条件。


 

 
[ 图书馆搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 违规举报 ]  [ 关闭窗口 ]

下载地址












0条 [查看全部]  相关评论
 
更多»相关图书馆
推荐图书馆
本类下载排行
总下载排行
投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐 news@solarbe.com 商务合作联系:010-68000822 吕先生 media@solarbe.com 紧急或投诉:13811582057, 13811958157
京ICP备10028102号-1 电信与信息服务业务许可证:京ICP证120154号
地址:北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路天通泰科技金融谷 C座 16层 邮编:102600