p2Si TF T 栅绝缘层用SiNx 薄膜界面特性的研究

以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx 薄膜界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx 薄膜中的Si/ N 比和H 含量影响薄膜的界面特性,而N H3 / SiH4 流量比则主要通过影响薄膜中的H 含量影响薄膜界面特性。实验制备的SiNx 薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx 与p2Si 之间的界面态密度分别达到了1. 7 ×1012 / cm2 、1. 4 ×1012 / cm2 、3. 5 ×1012 / (eV ·cm2 ) ,其界面特性达到了制备高质量p2Si TFT 栅绝缘层的性能要求。