PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响

在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中, 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化, 同时在p!GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V空位。

高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材料, 阻碍了H 原子向外扩散, 使H 原子在Ni/Au 电极与p!GaN 的界面处聚集, 造成p!GaN 近表面附近区域Mg!H 络合物密度的提高, 空穴浓度急剧下降, 导致Ni/Au 透明电极I- V 特性严重恶化。选择较低的射频功率(15 W,13.56 MHz)沉积模式, 经过适当的退火, 可以减小沉积SiO2 过程对p!GaN 的影响。