PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究

使用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition , PECVD) 在P 型硅片上沉积了氮化硅(SiNx) 薄膜, 使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱, 利用扫描电子显微镜(SEM) , 原子力显微镜(AFM) 观察了截面和表面形貌, 使用傅立叶变换红外光谱仪( FTIR ) 和能谱仪( EDX) 分析了薄膜的化学结构和成分。最后, 考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性, 并利用霍尔参数测试仪(Hall) 比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。