PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

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更新日期：2012-03-06
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详细介绍

在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温( ≤4 0 0 ℃) 条件下制得大颗粒( 直径> 100nm) 、择优取向(220) 明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4 和H2 混合气体。加入少量的SiH4 后,沉积速率提高了近10 倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFm Hn ( m + n ≤3) ,而不可能是SiHn ( n ≤3) 基团。

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