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PECVD法生长氮化硅工艺的研究

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详细介绍
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas2ma2enhanced chemical vapor deposition ,PECVD) 在聚酰亚胺(polyimide ,PI) 牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS 开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。
 
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