PECVD法制备纳米晶粒多晶硅薄膜

采用射频等离子体增强化学气相沉积系统(RF - PECVD)以高纯SiH4 为气源在P型< 100 >晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频(13. 56MHz)电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪(XRD) 、Raman光谱、AFM测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为< 111 >晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加, Raman谱TO模和TA模强度逐渐减弱; AFM给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20～40nm大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱。