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PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究
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文件大小:192.83K
更新日期:2012-03-06
浏览次数:
99
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详细介绍
对PECVD 生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件,制作出了高质量的氮化硅介质膜。对样品进行了湿法腐蚀和超声实验,在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。
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