新闻
企业
供应
求购
视频
图库
专题
会议
大咖
展会
图书馆
关注
RSS
新浪微博
微信
互动
公告
大事记
旗下子站
光伏家
首页
资讯
政策
市场
企业
招标
技术
科技
行情
产业
光伏逆变器
组件生产原材料及辅料
光伏电池组件
光伏电站
光伏电站小型设备
光伏组件生产设备
专栏
大咖
企业家
行业专家
媒体人
光伏名人
公司高管
企业/B2B
找产品
找采购
找企业
视频
SNEC
solarbe会议
企业宣传
展会现场
人物访谈
技术相关
图库
专题
市场专题
技术专题
行业活动
企业专题
政策专题
产品专题
大数据
会议
展会
杂志
文库
New
招聘
New
当前位置:
首页
»
图书馆
»
技术资料
»
多晶技术
»
PECVD在多晶硅上沉积氮化硅膜的研究
文件类型:PDF文档
文件大小:130.01K
更新日期:2012-03-06
浏览次数:
110
下载次数:
1
详细介绍
氮化硅薄膜作为一种新型的太阳电池减反射膜已被工业界认识和应用。应用PECVD(等离子体增强化学气相沉积) 系统, 以硅烷、氨气和氮气为气源在多晶硅片上制备了具有减反射作用的氮化硅薄膜。并研究了在沉积过程中, 衬底温度、硅烷与氨气的流比以及射频功率对薄膜质量的影响。
[
图书馆搜索
] [
加入收藏
] [
告诉好友
] [
打印本文
] [
违规举报
] [
关闭窗口
]
下载地址
共
0
条 [查看全部]
相关评论
更多»
相关图书馆
太阳能电池片专用双管PECVD 系统
ECVD技术的分类
PECVD 法氮化硅薄膜的研究
多晶硅膜原位掺杂制备浅发射结的研究
多晶硅膜原位掺杂制备浅发射结的研究
等离子体增强化学气相沉积技术基础
PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究
PECVD非晶SiO_2薄膜的红外吸收特性研究
PECVD法制备纳米晶粒多晶硅薄膜
PECVD法生长氮化硅工艺的研究
推荐图书馆
内蒙古1GW光伏扶贫指标分配方案 2017年全部指标用于扶贫
省补0.2元/千瓦 连补3年 河北省发改委、扶贫办下达2017年第一批村级光伏扶贫项目计划
【正式文件】三类地区补贴0.55-0.75元 分布式0.37元 2018年光伏发电项目价格政策的通知
国家能源局公布2017年光伏发电领跑基地名单及落实有关要求
【重磅】2017年光伏发电领跑基地优选结果公示
国家能源局关于推进光伏发电“领跑者”计划实施和2017年领跑基地建设有关要求的通知 附基地优选标准及企业优选指南
工信部:拟撤销19家光伏制造行业规范公告企业名单(第一批)
(附项目表)上网电价平均降低0.143 河北能源局2016普通光伏项目并网指标调整情况公示
山西发布2016年480MW增补光伏电站项目名单(晋发改新能源发〔2017〕155号)
安徽要求报送2017~2019光伏扶贫项目建设情况(皖能源新能〔2017〕41号)
本类下载排行
我国多晶硅铸锭装备技术的进步
DCS(二氯二氢硅)对多晶硅生产的影响及其控制(一)
多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究
多晶硅光伏全产业链碳排放计算方法
太阳能级多晶硅制备新工艺
冶金法制备太阳能级硅与气相法制备多晶硅的本质区别
多晶硅吸杂效能的研究
现行多晶硅生产流程中如何增效降耗问题的探讨
太阳能级多晶硅
单多晶太阳能硅片线痕的起因和降低方法
总下载排行
我国多晶硅铸锭装备技术的进步
太阳能多晶硅的“中国梦”(下)
2013年2月光伏产品市场价格监测
太阳能光伏技术
太阳能光伏技术
中国太阳能光伏企业名录
多晶硅生产工艺学
太阳能行业必看~~专业词汇图文解释
光伏行业期刊推荐与简介
光伏电站建设及相关政策——王斯成
关于我们
加入我们
联系我们
广告服务
大事记
会员服务
版权隐私
网站地图
光能
投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐 news@solarbe.com 商务合作联系:010-68000822 media@solarbe.com 紧急或投诉:13811582057, 13811958157
京ICP备10028102号-1
电信与信息服务业务许可证:京ICP证120154号
地址:北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路天通泰科技金融谷 C座 16层 邮编:102600