绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用

研究了MOCVD技术制备的不同B2 H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化．XRD 和SEM的研究结果表明，ZnO薄膜具有(110)峰择优取向的绒面结构特征．当B2H6流量为10sccm 时，在6cm×6cm 面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm，方块电阻为～12n／口，平均透过率大于80％ ，迁移率为30．5cm2／(V ‘s)的绒面结构ZnO薄膜．PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量，有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性；低压H 氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率．将其用作si薄膜太阳电池的前电极，电池性能与日本Asahi—U type Sn02作前电极的电池具有同等效果．