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大事记
光伏家
快速退火单晶硅片时，硅片内部会形成一种特殊的空位分布。空位的分布将决定后序两步退火后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度。研究了气氛下，不同恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响。发现延长RTA恒温时间，会增加氧沉淀密度。使用原子探针显微镜（原子力显微镜）研究了#$% 后表面形貌的变化。发现在RTA处理过的硅片，表面微粗糙度略有增加。
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快速退火单晶硅片时，硅片内部会形成一种特殊的空位分布。空位的分布将决定后序两步退火后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度。研究了气氛下，不同恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响。发现延长RTA恒温时间，会增加氧沉淀密度。使用原子探针显微镜（原子力显微镜）研究了#$% 后表面形貌的变化。发现在RTA处理过的硅片，表面微粗糙度略有增加。
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京公网安备11030102011671号 
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