铝吸杂对多晶硅太阳电池的影响

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更新日期：2012-03-09
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针对铝吸杂对多晶硅的影响,比较了单、双面蒸镀2μm 铝的多晶硅片在CTP和RTP炉中进行铝吸杂后的少子寿命、电性能和量子效率. 发现在RTP 炉中进行铝吸杂时,双面蒸镀铝少子寿命的增加比单面蒸镀时明显,在830 ℃时吸杂效果最优;而在CTP 炉中吸杂时,单面蒸镀铝少子寿命的增加更明显,600 ,700 ℃时吸杂效果最优.

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