高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池

通过PECVD 法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H)，采用Raman 散射谱，AFM 对样品的结构和形貌进行了测试，并测试了样品的室温电导率。结果表明：制备出的纳米硅薄膜，其电导率达到4.9 S·cm–1。另外制备了本征 nc-Si:H膜作缓冲层，结构为ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Ag 的PIN 型太阳能电池，其Voc 达到534.7 mV，Isc 达到49.24 mA(3 cm2)，填充因子FF 为0.422 8。