多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究

用等离子体化学气相沉积（PECVD）法，通过改变[SiH4∶N2] / [NH3] 的流量比沉积SiN 薄膜．用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法（QSSPCD）、X 射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（IR）、反射谱，测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率．研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能，结果发现：沉积温度350 ℃，沉积时间5 min，[SiH4∶N2] / [NH3] = 4∶1 时，沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低．