铸造多晶硅的吸杂

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更新日期：2012-03-14
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详细介绍

吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段. 比较了在800 ℃、900 ℃和1 000 ℃条件下经2 h 的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异. 实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3 种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700 ℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.

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