Ni金属诱导晶化非晶硅(a—Si：H)薄膜

对在氢化非晶硅薄膜(a Si：H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(M1C)／金
属诱导横向晶化(MI1 c)，制备多晶硅薄膜(p-Si)的上艺及薄膜特性进行了研究。XRD测最
结果表明非晶硅在500 c退火l h后就已经令部晶化。金属诱导品化的优选晶向为(220)．
而且晶粒随退火时间的延长而长大。非晶硅薄膜样品500 C下退火6 h后的扫描电镜照片
显示，原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化．品粒均匀．平均晶粒大小约为0．3 In，而且已经发生
横向晶化。EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明，金属Ni在MII C
过程中的作用只是催化晶化．除了少量残留在MI1 C多晶硅中外．其余的Ni原子都迁移至品
化的前沿。500℃下退火2O h后样品的Raman测试结果也表明．金属离子向周边薄膜扩散．横向晶化了非晶硅薄膜。