为了制备高性能铁电薄膜红外探测器,对Si 微桥的湿化学腐蚀工艺进行了研究. 利用Si 基片各向异性
腐蚀特性,在四甲基氢氧化铵(简称TMAH) 水溶液中加入氢氧化钾( KOH) 作为各向异性腐蚀液(简称
KTMAH) ,研究了TMAH 与KOH 摩尔比、腐蚀浓度、腐蚀温度对Si 基片腐蚀特性的影响. 结果表明:Si (100)
面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大,随着TMAH 与KOH 摩尔比的降低, KTMAH 腐蚀液对
掩膜层的腐蚀程度加剧. 选用5 g/ L 的过硫酸盐(PDS) 与TMAH 质量分数为25 %、TMAH 与KOH 摩尔比为
2 的KTMAH 混合液作为腐蚀液,并在80 ℃×2. 5 h 的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面,可以制备质量较好
的微桥结构.