游达，中国科学院微电子专业博士研究生毕业，现任江苏协鑫硅材料科技发展有限公司总工程师，具备丰富的半导体行业和光伏行业工作经验，精通半导体器件物理建模及器件的失效分析。后进入光伏行业，从事多晶铸锭及硅片技术的技术研发工作，主持开发了一些列的高效多晶太阳能硅片产品。 2015年成功研发出新一代产品“鑫多晶S4”，多晶硅片光衰降低至0.5%，获得市场高度认可。2015年着力打造省重点实验室，与04月获批“江苏省硅基半导体材料重点实验室(筹)”，并兼任重点实验室主任。

2011年~2013年太阳能级高效多晶“鑫多晶S1、S2、S3”项目，高效多晶光电转化效率18.20%；2012年开始进行铸锭准单晶 “鑫单晶G1、G2”项目，“鑫单晶G2”一类片等级占比30%以上，光电转化效率＞19.80% ；2013年开始进行N型准单晶项目的研发及产业化，现光电转化效率达19.50%以上。作为项目负责人主持“高性能低成本N型光伏准单晶硅锭、硅片先进制备技术开发与产业化”，获江苏省重大科技成果专项资金支持；2013年08月，获得江苏省“双创人才”计划；2014年带领团队研发太阳能级高效多晶“鑫多晶S3+”项目，高效多晶光电转化效率18.30%；2014年08月，作为团队领军人物，获得江苏省“双创团队”。