碳化硅氧化炉 晨立定制 科研真空炉-SIC 扩散炉

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主要技术参数： 
◆工艺管数量：1-4管
◆工艺管口径：Φ90-360mm（3～12英寸）
◆工作温度范围：400～1280℃
◆恒温区长度及精度±0.5℃/1080mm
◆工艺均匀性:≤±5％（30~60欧姆）

◆结构型式：卧式热壁型
◆气体流量设定精度:±1％F.S
◆气路系统气密性： 1×10-7pa.m3/s
◆超净工作台：净化等级：100级（万级厂房）噪音：≤62dB（A）震动：≤3μm
◆记录工艺曲线数量及工艺步数不受限制
◆控制方式： 工业微机控制

产品描述：

◆高性能进口元器件
   组合关键件采用进口管件，且为半导体级别；优 质的元器件组合，从而保证成膜质量。
◆高精度温度控制
   新型炉体设计，提高了温度稳定性；配合高精度温控仪的使用，保证工艺过程中温度的快速稳定。
◆软着陆载片装置
   软着陆送料装置，避免了SiC桨的遮挡影响，提高了扩散均匀性。同时桨的清洗周期大幅度延长。