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SMU数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台
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  • 面议
  • 支持批量采购
  • 发布时间:2024-05-31 15:17

产地:湖北 武汉 武汉市 | 归属行业:仪器仪表

品牌:普赛斯仪表

有效期至:长期有效

联系人: 陶女士

电话: 027-87993690

主营: 仪器仪表、电子产品的研发、生产、销售;电子技术服务

联系地址:东湖新技术开发区光谷大道308号光谷动力节能环保产业园8栋2楼

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企业信息

武汉普赛斯仪表有限公司

免费企业 诚信指数 0 

    资料信息

  • 店铺等级:
  • 旺铺店长: whpssins

    认证信息

  • 实名认证
  • 信用认证
  • 商品合格
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  • 尺寸:425*255*106mm
  • 重量:5KG
  • 测试范围:±300mV~±300V/±100pA~±3A
  • 供货总量:
  • 发货期限:自买家付款之日起 3 天内发货
  • 所在地:湖北 武汉 武汉市

本科生微电子器件及材料实验目的
通过实验动手操作,加深对半导体物理理论知识的理解,掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能,培养分析问题和解决问题的能力。

 

本科生微电子器件及材料实验目录
实验一:金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
实验二:四探针法测量半导体电阻率测试实验
实验三:MOS电容的CV特性测试实验
实验四:半导体霍尔效应测试实验
实验五:激光二极管LD的LIV特性测试实验
实验六:太阳能电池的特性表征实验


本科生微电子器件及材料实验测试平台优势
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求
测试设备简单易用,专业权威,方便学生动手操作
核心设备测试精度高,满足新材料和新器件的指标要求
测试软件功能齐全,平台化设计,有专人维护支持,与专业测试软件使用相同架构
以基础平台为起点,可逐步升级,满足日益增加的实验室测试需求


本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能

           

实验名称

测试参数

金属-氧化物-半导体场效应晶体管IV特性测试实验

l 输出特性曲线

l 转移特性曲线

l 跨导gm

l 击穿电压BVDS

四探针法测量半导体电阻率测试实验

 

l 四探针法电阻率ρ

l 材料阻值R

MOS电容的CV特性测试实验(低频 +                             高频)

l CV特性曲线

半导体霍尔效应测试实验

l 霍尔电压VH

l 霍尔电阻率ρ

l 霍尔系数RH

l 载流子浓度n

l 霍尔迁移率u

 

激光二极管LD的LIV特性测试

 

l LIV特性曲线

l 阈值电流Ith

l 阈值电流对应电压值Vth

l 拐点Kink

l 线性电阻Rs

太阳能电池的特性表征

 

l 开路电压Voc

l 短路电流Isc

l 功率最大值Pmax

l 填充因子FF

l 转换效率η

l 串联电阻Rs

l 旁路电阻Rsh

本科生微电子器件及材料实验测试平台核心

测试平台的核心– 源测量单元(源表, SMU)

普赛斯国产源表五表合一 四象限模式
四线/开尔文测试功能
小信号测试
满足先进器件和材料测试需求



交流测试使用LCR表


探针台:4寸或6寸手动探针台


有关SMU数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台的更多信息请咨询一八一四零六六三四七六,武汉普赛斯是国内醉早生产源表的厂家,产品系列丰富:产品覆盖不同的电压、电流范围,产品已经过了市场的考验,市场应用率高;SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,直流更大、精度更高、准确度提升至±0.03%,直流电流升级至3A,PX00B系列蕞大脉冲输出电流达30A,蕞大输出电压达300V,



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陶女士

   
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以上所展示的SMU数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台供应信息由武汉普赛斯仪表有限公司自行提供,SMU数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台信息内容的真实性、准确性和合法性由发布企业武汉普赛斯仪表有限公司负责,本网站不承担任何责任。本网站不涉及用户间因交易而产生的法律关系及法律纠纷,纠纷由您自行协商解决。
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