供应 单晶硅炉

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主要用途
CZ800-A、CZ900-A型硅单晶炉，是软轴提拉型单晶炉，在惰性气体（氩气）的保护环境中，以石墨电阻加热器，将多晶硅材料熔化，用直拉法生长无位错单晶棒的设备。我所生产的硅单晶炉具有性价比高、成晶率高、设备整体稳定性好等特点，并免费为客户提供拉晶工艺、厂房布局等技术服务。

主要技术特点
真空度低，真空保持稳定，重要的密封部位采用先进的磁流体密封技术；
机构运行平稳，主要运动部件均采用进口高性能电机和高精度传动机构；
主炉室和副炉室之间采用插板阀连接，有效降低炉体高度，降低厂房要求和减小籽晶轴的晃动；
主炉室与副炉室升降采用三相异步电机驱动，安全可靠；
完全具有自主知识产权的控制系统，以高性能进口PLC为控制核心，外加工业级PC监控拉晶过程，性能可靠，避免死机现象的发生；
先进的串级控制算法，精确控制温度和拉速，实现高精度的晶体生长；
全进口低压电气元件，保护灵敏可靠，维护方便；
触摸屏操作界面简洁、友好，控制过程可视性强，工艺曲线编辑方便；
单晶炉专用数字控制电源系统，空载电流小，能耗低。
主要技术指标
主要技术指标 CZ800-A CZ900-A
晶体直径 6 ～ 8 〞 6 ～ 8 〞
最大加热功率 150KW 150KW
变压器容量 200KVA 200KVA
冷炉极限真空 ＜ 3Pa ＜ 3Pa
主炉室尺寸（mm） 内径×内部高度 φ 800 × 800 内径×内部高度 φ 900 × 850
炉室延伸（mm） 内径×内部高度 φ 800 × 350 内径×内部高度 φ 900 × 400
设备高度（mm） 5800 6400
最大装料量 60kg 90kg
籽晶拉速范围 0-10mm/min 0-10mm/min
籽晶在炉内有效行程 ≥2650mm ≥3000mm
籽晶轴摆动量 引晶位置处 ≤φ 2mm 　 引晶位置处　≤φ 2mm 　
坩埚在炉内有效行程 380mm 400mm
晶体转速范围 0～50rpm 0～50rpm
坩埚转速范围 0～30rpm 0～30rpm
联 系 人： 陈延斌
联系方式: 电话：0731-5401265 传真：0731-6930690 手机：（0）15974201902 邮编：410111 电子邮箱：c-y-b1984@163.com
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