供应★单晶炉★

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晶体生长设备特点及优势简述：
1. 单晶炉可自动控制N型<111>、P型<100>单晶硅棒的生长；
2. 单晶炉速度控制精度≤FS3%；
3. 单晶炉熔料量CZ-80A型70KG、CZ-90AI型100KG；
4. 单晶炉增加了功率因数补偿实现了节能；
5. 单晶炉采用自主设计研发的18″、20″热系统，晶体生长条件状态好，产品成品率高，损耗小，生产效率高。
6. 单晶炉下传动部分采用新型的盲道+机械密封+磁流体密封的结构，提高了真空度。
7. 单晶炉在大功率直拉单晶炉上首次采用了PLC自控系统和谐波抑制系统，提高了电气系统的高稳定性，实现了无电网污染。
8. 单晶炉独特的冷却结构设计可达到最佳的温度梯度，从而抑制了熔体的热对流。
9. 单晶炉自主研发的18″、20″复合式热系统 (带有热屏和矮加热器组成的复合式热系统)，更进一步抑制熔体的热对流，并加速了结晶潜热的排放，有效地降低了硅中的氧含量，并提高了氧在硅晶体中分布的均匀性，目前正在申报国家专利。
10. 单晶炉合理的导气排气结构，从而减少炉内气体的涡流现象；采用封闭式热场涂层技术,更进一步降低了晶体的碳含量。