供应156多晶硅片

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制备方法 DSS
导电类型 P
掺杂剂 B
电阻率范围 1.0 -3.0Ω·cm
少数载流子寿命 ≥2μs(以方锭体寿命为准)
氧含量 ≤5*1017 /cm3
碳含量 ≤8*1017/cm3
硅片尺寸 156*156±0.5mm
直角度 90° ±0.3°
斜角度 45° ± 2°
厚度 200±20 μm
总厚度变化 ≤30μm
线痕 ≤20μm
翘曲 ≤50μm
边缘崩边 Depth<0.3mm;Length<0.5mm
裂纹 Not Allowed
表面 No Stain, No Edge Breakage, No Chips