光伏薄膜系统

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      使用PVD或CVD 工艺沉积单层膜或多层膜，一般膜层厚度在μm级或更薄。膜层具有不同的物理和化学特性，例如：导电性、透明度、半导体特性、扩散率、抗磨力、抗化学性等。

      薄膜硅太阳能电池是基于非晶硅(a-Si)或微晶硅(μc-Si)。这种太阳能电池需要厚度达2 μm的半导体膜层（吸收层）。该膜层通常在较低的工艺温度下大面积沉积而成，基材是低成本材料，主要是玻璃，也有金属带或聚合物薄膜。为了达到充足的吸收效果，膜层的厚度需要达到2 μm。透明导电层TCO（比如：SnO₂:F, ZnO:Al）可用作前电极，也可以更多地和金属膜层组成背电极薄膜体系。（比如：ZnO:Al/Al/NiV）。

      微晶薄膜太阳能电池在一个电池里既包含非晶硅，也包含微晶硅，它们属于所谓的多结电池，两个（叠层电池）或多个半导体膜层上下交替沉积。在微晶叠层电池中，非晶硅和微晶硅的吸收光谱相互补充，使得更广范围的太阳辐射光谱被转化为能源产品，从而达到较高的太阳能电池的能效。

      CIS薄膜太阳能电池是基于由铜、铟、硒及硫-CuIn(Ga)(Se,S)形成一种化合物半导体。 由一个厚度达3 μm的p型导电CIS膜层与一个n型导电CdS缓冲层（50 nm）结合。通过在半导体中添加镓来显著提高CIS太阳能电池的能效（CIGS电池）。通过蒸发或溅射以及后续的硅烷化工艺可以生产出吸收层。由i- ZnO/ZnO:Al薄膜作为透明的前电极；钼膜层通常作为背电极。玻璃是常用的基片材料，但也可以使用金属带和高分子薄膜作为基片。

      CdTe薄膜太阳能电池由一个透明导电的前电极层、一个n型导电CdS薄膜层，一个p型CdTe吸收层以及一个金属背电极组成。正如a-Si/µc-Si和CIGS薄膜电池那样，首选的基片材料是玻璃。但是使用金属带和高分子膜作为基材也是可行的。