多晶硅片

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规格(尺寸)(mm)

156±0.5

少子寿命(us)

多晶≥2μs

导电类型

P型  

位错密度(个/cm3)

≤3000

掺杂

硼（Boron）

碳含量(atoms/cm2)

≤4.0X1016

晶向

90±0.3°

氧含量(atoms/cm2)

≤1.0X1017

电阻率范围(欧母·厘米)

1--3

表观

可视裂纹,表面清洁无黑斑、污渍,无等

边长(mm)

156±0.5

线痕
(um)

≦15

对角(mm)

219.2±0.5

翘曲
(um)

≦75

厚度(um)

200±20

崩边缺角等

单个崩边深度≤1mm，长度≤1.5mm，少于两处，无“V ”形缺口

TTV(um)

≤30

其他未明事宜参照行业标准