多晶硅片

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多晶硅片

规格(尺寸)(mm) 156±0.5 少子寿命(us) 多晶≥2μs 导电类型 P型   位错密度(个/cm3) ≤3000 掺杂 硼（Boron） 碳含量(atoms/cm2) ≤4.0X1016 晶向 90±0.3° 氧含量(atoms/cm2) ≤1.0X1017 电阻率范围(欧母·厘米) 1--3 表观 可视裂纹,表面清洁无黑斑、污渍,无等 边长(mm) 156±0.5 线痕 (um) ≦15 对角(mm) 219.2±0.5 翘曲 (um) ≦75 厚度(um) 200±20 崩边缺角等 单个崩边深度≤1mm，长度≤1.5mm，少于两处，无“V ”形缺口 TTV(um) ≤30 其他未明事宜参照行业标准