产地:北京 北京 北京市 | 归属行业:其他
品牌:京仪世纪电子/JING YI CENTURY ELECTRONICS
有效期至:长期有效
MCZ-6000A/C型硅单晶炉产品特点:
MCZ-6000A型硅单晶炉是在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶硅材料熔化,用直拉法生长无位错单晶的设备。它可生产太阳能电池所需要的高质量单晶。该产品依据等效微重力晶体生长理论设计,可配装各种电或永磁场,达到磁场拉晶,提高大直径拉晶质量。拥有5项专利技术,可使用18″-20″热系统,最大投料量60kg,可拉制6″-8″单晶。
技术参数:
1.电源: 三相 50Hz 380 V±10% 2.变压器容量: 200 KVA 3.加热器最大加热功率: 150 Kw 4.加热器最大电压与最大电流: 70 V ×2400 AD 5.加最高加热温度:1600℃ 6.晶体直径(最大): φ6″(φ150) -φ8″(φ200) 7.熔料量(最大): 60 Kg 8.冷炉极限真空度: ≤3 Pa 9.主炉室尺寸: 上炉筒、下炉筒部分 φ800×1150 10.插板阀: 通径×厚度φ260 × 111 11.副炉室尺寸 :内径×内部高度 φ260×1800 12.籽晶在炉内有效行程: >2660mm 13.籽晶快速:10-400 mm/min 14.籽晶转速:1-40 mm/min 15.坩埚在炉内有效行程: 380mm 16.主机外形尺寸: 长×宽×高 2530×1703×5922mm
MCZ-6000FA/FC型硅单晶炉产品特点:
MCZ-6000F型网络化磁场硅单晶炉,是在惰性气体环境中,用石墨电阻加热器加热,使用硅多晶原材料,用直拉法生长无位错单晶的设备。它可生产太阳能电池所需要的高质量单晶。该设备可使用18〞~20〞热系统,最大投料量90kg,可拉制6~8英寸的单晶。本设备依据等效微重力晶体生长理论设计,可配装各种电或永磁场,达到磁场拉晶。 MCZ-6000F型网络化磁场硅单晶炉可实现全自动化控制,具有高精度自动抽空检测系统、高精度质量流量自动控制系统、高精度自动加热检测控制系统、高精度水温自动检测控制系统、高精度谐波抑制与无功功率自动补偿系统等。具备多台设备的集中监控、数据传输和管理等接口,可实现拉晶网络化管理,详细地拉晶记录备份。各操作参数可实现摸屏控制。本设备具有各种连锁及安全保护措施,如水温报警、压力防爆阀、主副室限位互锁、过流报警等。
技术参数:
1. 主炉室尺寸: φ850×1150mm 2. 上主室尺寸: φ850×800mm 3. 下主室尺寸: φ850×350mm 4. 插板阀通径: φ300mm 5. 加热方式: 石墨电阻加热 6. 冷炉真空度: ≤2 Pa 7. 冷炉真空泄漏率: ≤0.1 Pa/min 8. 热场规格: 18″~20″ 9. 最大装料量: 90Kg 10. 拉制晶体最大直径(英寸): φ10″ 11. 籽晶夹头在副室内的最大行程:1800mm(重锤系统L=683) 2015mm(重锤系统L=475) 12. 籽晶夹头总行程: >3000mm 13. 籽晶拉速范围: 0.1~10 mm/min 14. 籽晶快升/快降: ≥300 mm/min 15. 籽晶旋转速度: 2~40 rpm 16. 坩埚升降速度: 0.02~2.5 mm/min 17. 坩埚升降快速: >50mm/min 18. 坩埚轴最大承重: 140Kg 19. 坩埚转速范围: 1~30rpm 20. 坩埚升降最大行程: 400mm 21. 电源电压/频率/相数: 380VAV/50Hz/3相 22. 变压器容量: 200KVA 23. 最大加热功率: 150KW 24. 最高加热温度 1600℃ 25. 耗水量: 15m3/h 26. 进水压力/温度: 0.3MPa/≤25℃ 27. 氩气耗量: ≈2500升/台、小时 28. 设备外形尺寸: 2530×1700×5770 29. 设备最大高度: 6050mm 30. 设备整机重量 : ≈5500Kg 31. 主机占地面积: 2820×3200mm 32. 整机占地面积: 4000×6000mm
MCZ-6000HB/HC型硅单晶炉产品特点:
MCZ-6000H型单晶炉,属于主室内径为φ900的基本型太阳能硅单晶炉。 MCZ-6000H型单晶炉采用直拉法(切克劳斯基法),主要用于太阳能硅单晶的生长,它是在惰性气体环境下通过石墨电阻加热器熔化硅原料,用减压方式、软轴提拉晶体。该设备主要用于最大投料量120Kg级,大规模生产太阳能级8〞硅单晶,在优化条件后也可生产IC级单晶。 本设备标准配置为22〞热系统,最大投料量120Kg,拉制8〞单晶,也可兼容20〞热系统。
技术参数:
1. 主炉室尺寸: φ900×1200mm 2. 上主室尺寸: φ900×800mm 3. 下主室尺寸: φ900×400mm 4. 插板阀通径: φ340mm 5. 加热方式: 石墨电阻加热 6. 冷炉真空度: ≤3 Pa 7. 冷炉真空泄漏率: ≤0.1 Pa/min 8. 热场规格 : 22″(兼容20〞热场) 9. 最大装料量 : 120Kg 10.额定拉制晶体直径(英寸): 8″ 11.籽晶夹头在副室内的最大行程:2375mm(重锤系统L=620时) 12.籽晶夹头总行程: >3600mm 13.籽晶拉速范围: 0.2~10 mm/min 14.籽晶快升/快降: ≥300 mm/min 15.籽晶旋转速度: 2~40 rpm 16.坩埚升降速度: 0.02~1.00 mm/min 17.坩埚升降快速: >100mm/min 18.坩埚转速范围: 2~20rpm 19.坩埚升降最大行程: ≤525mm 20.电源电压/频率/相数: 380VAV/50Hz/3相五线制 21.变压器容量: 200KVA 22.最大加热功率: 140KW 23.最高加热温度 : 1600℃ 24.耗水量: 25m3/h 25.进水压力/温度: 0.25MPa/≤25℃ 26.氩气耗量: ≈2500升/台、小时 27.设备最大高度: ≤7000mm 28.设备整机重量: ≤7000 Kg 29.主机占地面积: 1780×1980mm 30.整机占地面积: 4000×6000mm
MCZ-6000KA/KC型硅单晶炉产品特点:
MCZ-6000K型是针对太阳能电池市场需求而开发的高性能晶体生长炉。该炉采用直拉法生长单晶,提升结构为软轴提拉型,大规模生产太阳能级8〞硅单晶,在优化条件后也可生产IC级单晶。主室直径为1050mm,可使用22″~ 24″热系统,最大投料量150kg,并可连续投料20Kg,可拉制6″~ 8″单晶,主要应用于8″太阳能硅单晶的拉制。真空度及洁净度按IC级别考虑,也可用于集成电路硅材料的拉制。采用标准模块化部件系统集成设计而成。 MCZ-6000K基本型,也称半自动型。在满足太阳能硅单晶生产的基本要求下,追求成本最低,供企业在市场价格竞争中保持大批量生产中的低成本优势。同时均考虑安装水平电磁场的外形尺寸空间预留及相关功能部件增减。
技术参数:
1. 主炉室尺寸: φ1050×1200mm 2. 上主室尺寸: φ1050×800mm 3. 下主室尺寸: φ1050×400mm 4. 翻板阀通径: φ300mm 5. 加热方式: 石墨电阻加热 6. 冷炉真空度: ≤3 Pa 7. 冷炉真空泄漏率: ≤0.1 Pa/min 8. 热场规格 : 22″(兼容24〞热场) 9. 最大装料量 : 150Kg 10.额定拉制晶体直径(英寸): 8″ 11.籽晶夹头在副室内的最大行程: 2200mm(重锤系统L=620时) 12.籽晶夹头总行程: >3600mm 13.籽晶拉速范围: 0~10 mm/min 14.籽晶快升/快降: ≥300 mm/min 15.籽晶旋转速度: 0~40 rpm 16.坩埚升降速度: 0.02~1.00 mm/min 17.坩埚转速范围: 0~30rpm 18.坩埚升降最大行程: ≤500mm 19.电源电压/频率/相数: 380VAV/50Hz/3相五线制 20.变压器容量: 200KVA 21.最大加热功率: 150KW 22.最高加热温度 : 1600℃ 23.耗水量: 25m3/h 24.进水压力/温度: 0.25MPa/≤25℃ 25.氩气耗量: ≈2500升/台、小时 26.设备最大高度: ≤7000mm 27.设备整机重量: ≤7000 Kg 28.主机占地面积: 2800×4000mm 29.整机占地面积: 4000×7000mm