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新一代DRAM
常规的DRAM设计围绕每一存储电容的是其控制电路及地址线。为了在每一芯片上置入更多位, 先进的存储器制造商转而将地址线埋在硅晶圆内的电容下面。应用材料公司应对这个新设计的挑战，提供一系列完整的制造系统，帮助实现这一新的制造方法。
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在近几代器件的制造过程中，DRAM制造商开发了几种新的单元布局，减少其在芯片上的所占面积。最新的设计将地址线埋在硅衬底中，然后在上面制作晶体管和电容形成垂直堆叠，从而将密度增加50%。
新一代NAND
当常规的闪存单元进一步按比缩小变得不太现实的时候，很多领先的制造商正在开发一种称之为“三维堆叠NAND”的技术。把多个二维存储阵列堆叠起来，不用减小每一单元的尺寸也能使芯片容量倍增。应用材料公司的创新系统正在帮助闪存制造商实现这一令人振奋的新技术。
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