技术优势: “太阳能硅片的切割制绒一体化加工方法及装置”专利技术,使我们拥有高于行业30%的切割效率,同时电池片制绒面效率更高。砂浆循环使用技术,大幅降低切割成本。
单晶硅片技术指标
单晶制备方法 | CZ |
导电类型 | P |
掺杂剂 | Boron(B) |
晶向 | <100> |
晶向偏离度 | <±3° |
电阻率范围(ρ) | 1-3Ω•cm/3-6Ω•cm |
少数截流子寿命(τd) | >10μS |
氧含量 (Oi) | ≤1.0*1018at/cm3 |
碳含量(C) | ≤5.0*1016at/cm3 |
位错密度(Nd) | ≤3000/ cm2 |
硅片尺寸 | 125*125±0.5mm; 156*156±0.5mm |
硅片直径 | 150±0.5 mm; 156±0.5 mm; 165±0.5 mm; 200±0.5 mm |
厚度 | 200±20μm |
总厚度变化 | <30μm |
多晶硅片技术指标
导电类型 | P |
掺杂剂 | Boron(B) |
晶向 | <100> |
晶向偏离度 | <±3° |
电阻率范围(ρ) | 1-3Ω•cm |
少数截流子寿命(τd) | >2μS |
氧含量 (Oi) | ≤1.0*1018at/cm3 |
碳含量(C) | ≤5.0*1016at/cm3 |
位错密度(Nd) | ≤3000/ cm2 |
硅片尺寸 | 156*156±0.5mm |
硅片直径 | 218±0.5 mm |
厚度 | 200±20μm |
总厚度变化 | <30μm |