3-4英寸二极管级单晶硅片

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 项目

二极管级单晶硅片 

 生长方式

 CZ /FZ

 导电类型

 N/P

 掺杂剂

 磷P/硼B

 晶向

 <111>

 电阻率（Ω.cm）

 5-100

 电阻率径向不均匀性

 ≤25%/≤10%

 直径（mm）

 76.2±0.3/100±0.5

 切方规格（mm）

 N/A 

 少子寿命（цs）

 ≥100

 氧含量（atoms/cm³）

 ≤1×10¹⁸ /≤3×10¹⁶

 碳含量（atoms/cm³）

 ≤5×10¹⁶ /≤3×10¹⁶

 位错密度（сm^–2）

 ≤100

硅片形态 

 磨片/切片

 硅片厚度（цm）

 150-600

 厚度公差（цm）

 ±5

 总厚度偏差（цm）

 ≤5/≤10

 弯曲度（цm）

 ≤10

 表面质量

无孔洞、无裂纹、 
无氧化花纹及用户其他要求