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英飞凌一家独大,这主要体现在两个方面。一是,占据18.6%的份额,达到33.41亿美金(约是第二名的两倍),同比增长16.8%。二是,在细分的功率MOSFET、IGBT分立器件、标准IGBT模块市场份额均全球第一。
根据IHS最近发布的2017年全球功率半导体市场份额报告,全年全球功率半导体市场体量是185亿美金,同比增长13.1%,达到自2010年以来的最大值,这主要来源于全球半导体市场的复苏,特别是中国市场的快速崛起。另外,英
10月21日,中环股份三季报的发布,成为该股股价飙升的起点,也令金鹰基金的半年苦等迎来收获之日。从10月21日至今,中环股份的区
功率模块核心技术与光伏产业发展趋势分析-由PCIM-Asia看光伏核心器件IGBT发展2008年受经济危机的影响,全球的经济形势受到重创。
IGBT,学名绝缘栅双极晶体管,是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统,其地位相当于计算机世界中的CPU。当前我国I
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出专门为串接太阳能逆变器和中功率不间断电源(UPS)设计的新款IGBT电源模块。Vishay
回顾2014年光伏并网逆变器,可以用两个字来形容惨烈来形容。集中式逆变器的价格2012年的0.8元/W,到2013年是0.4元/W,2014年
世纪新能源网消息:1月21日,大功率IGBT产业化建设工程主体混凝土封顶仪式在株洲南车时代电气股份有限公司举行,这标志着该项目顺利完
世纪新能源网消息:8月20日,中国南车集团株洲南车时代电气股份有限公司IGBT产业化建设项目机台搬入按期启动,首批设备顺利实施入场。
2015年11月18日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新S5系列,进一步增强其IGBT的性能。全新推出的这个产品系列立足于超薄晶圆TRENCHSTOP™ 5 IGBT,专门针对开关频率高达40kHz的工业设备的交流-直流电力转换装置而开发。
2014年9月3日,英飞凌科技(中国)有限公司宣布其TRENCHSTOP™5系列IGBT荣膺“2014中国年度电子成就奖”(ACE)之年度最佳功率器件/电压转换器产品奖,再次定义了行业内同级别产品的最佳性能。
在太阳能逆变器的设计中,常用的IGBT分别为平面型IGBT和沟道型IGBT。在平面型IGBT中,多晶硅栅极是呈“平面”分布或者相对于p+体区是水平分布的。在沟道型IGBT中,多晶硅栅极是以“沟道方式向下”进入p+体区。
经过检企共同努力,我国首条8英寸IGBT生产线在湖南株洲按期建成,并于6月下旬生产出首块产品。专家认为,生产线集IGBT产品设计、芯片制造、模块封装测试、可靠性试验、系统应用等成套技术研究、开发及产品制造于一体,其产业规模和技术实力达到国际领先水平。