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本文研究的是在丝网印刷中铝背场中硅的横向拓展，在合适的工业温度范围内，铝层的增长速度为（1.50±0.06）μm/℃。这样的话，硅片中铝扩散的最大极限速度就可以预测，而且不被接触面积的大小限制只会受温度的影响。所以，背场的形状不仅影响了串联电阻的损失，而且会影响硅铝接触形成的过程，另外，快速冷却会导致柯肯特尔空洞而不是产生共晶层。
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