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日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法，主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。
日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法，主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。据介绍，采用新方法后，可将制造成本降至原来的1/2以下。
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