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主要利用电致发光(EL)手段对晶体硅光伏组件产生的裂纹、断栅和黑片等隐性缺陷进行分析研究，测试组件的最大功率;将有明显隐性缺陷的组件与无明显隐性缺陷的组件进行对比，分析各性能参数的差异，同时研究缺陷对功率
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