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准单晶主要面临两个问题：位错和单晶率主要以技术工艺角度来阐述，不涉及设备，希望给同仁们如何降低位错的得高单晶率带来一定思考1、位错主要来源籽晶隐性裂纹，在长晶过程中会放大。为规避装料过程的挤压带来隐性
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