专利摘要显示，本发明提供了一种双异质结钙钛矿及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的制备方法通过在旋涂钙钛矿量子点分散液时其溶剂采用正己烷、正辛烷、甲苯和氯苯中的一种或多种，能够降低对上一层钙钛矿薄膜Ⅰ或钙钛矿薄膜Ⅱ的溶解度，避免在制备单异质结的过程中导致上一层钙钛矿薄膜被破坏，从而保证成功制备得到双异质结结构的钙钛矿;并且，本发明还通过分别制备单异质结和单层钙钛矿薄膜再使其结合的方式，或者同时制备两个单异质结再将二者结合的方式，能够进一步降低对上一层钙钛矿薄膜的破坏，保证各膜层更为平整均