大族光伏PECVD产品介绍

12月14日，迈为股份（SZ:300751）发布公告，披露了公司2021年度向特定对象发行股票的发行情况。本次发行实际发行数量为4,359,007股，发行价格为645.00元/股，募集资金总额为人民币2,811,559,515.00元，扣除本次发行

PECVD目的在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。镀膜原理光照射在硅片表面时，反射会使光损失约三分之一。如果在硅表面有一层或多

摘要针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题，利用多种测试设备(EL、PL、Corescan等)，在电池制作的主要工序段(扩散、镀膜、印刷、烧结)对硅片和电池片进行检测，归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因，利用这些检测手段

摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并确定当退火

摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅镀膜的最优工艺参

据悉，我国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)1月8日在上海理想能源设备

近日，我国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备（ＰＥＣＶＤ）在上海成功下线，这

不久，一种更给力并实惠的能源将走入寻常百姓家。近日首台代表着国际尖端技术水平的薄膜太阳能电池关键生产设备――等离子体增强

世纪新能源网 www.ne21.com 现场报道（记者张松）2012年第七届亚洲太阳能光伏工业论坛上，中科院电工研究所太阳能电池技术研究室主任王

2012年5月16日中国上海国际太阳能光伏展览会期间由奥宝科技和LT Solar共同投资的OLT Solar有限责任公司今日宣布公司将在中国国际