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新罕布什尔州纳舒厄2012年10月8日极特先进科技公司(GT Advanced Technologies)(NASDAQ: GTAT)今天公布两项新的DSS技术升级
2013年7月8日,GT Advanced Technologies(纳斯达克:GTAT)推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品质的半导体SiC晶体块,可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段,SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。
2012年 3月16日--极特先进科技公司(纳斯达克股票代码:GTAT)宣布, 其DSS™450 MonoCast™ 铸锭技术已经实现100%单晶